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流体解析ソフトウェア Advance/FrontFlow/red 表面反応の解析事例

CVD プロセスの解析事例

CVD(Chemical Vapor Deposition)プロセスの解析事例として、SiF4(四フッ化ケイ素)と NH3(アンモニア)のガスを吹き付けて、基板表面上に Si と N が沈着する過程を解析しました。

解析条件の概要

項 目 設 定
初期設定 四フッ化ケイ素50%
雰囲気温度 300℃
基板表面温度 1440度
化学反応モデル 反応モデル(ガス反応: 33 反応式, 17 化学種, 表面反応: 6 反応式, 6 化学種)
反応速度 CHEMKIN®

解析結果

解析モデル

解析モデル


蒸着面における Si 膜厚分布

解析モデル


Si 膜厚分布




蒸着速度分布




乾燥過程の解析事例

塗料に窒素ガスを吹き付けて乾燥させる過程を解析しました。


解析条件の概要

解析モデル

解析モデル


解析結果

解析結果


適用例

  1. 半導体製造、金属膜形成およびそれらの装置開発(CVD, ALD プロセス解析)
  2. 塗布・乾燥過程(均一塗装, 膜厚コントロールなど)
  3. 壁面液滴生成過程(センサー等の機器表面上の結露防止, 形状最適化など)

パンフレット

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