2019年2月25日（月）開催 東京大学物性研究所 計算物質科学研究センター（CCMS）主催の「RSDFT 講習会（中級）～第一原理計算で半導体の物性を計算しよう～」で、弊社研究員：岩田 潤一が講師を務めることになりました。
開催概要
RSDFT 開発者である、名古屋大学 未来材料・システム研究所 特任教授 押山 淳 先生、弊社 岩田 潤一 を講師とし、RSDFT を活用した SiC 等の最先端の研究成果の紹介と、シリコン、および、ワイドバンドギャップ半導体などに関する計算例をベースに FOCUS スパコンを用いた講習が開催されます。
密度汎関数法に基づく第一原理電子状態計算プログラム RSDFT は、実空間グリッドですべての計算を行うため、高速フーリエ変換が不要となり、並列数を上げて大規模系を扱うことが可能です。半導体の微細化、界面や表面の物性などに興味のある方は、ぜひご参加ください。
開催案内
RSDFT 講習会（中級）～第一原理計算で半導体の物性を計算しよう～
（主催者の講習会案内ページは こちら）
| 日 時 | 2019年2月25日（月） 10:00～17:10（受付 9:30～） 講習会後の 17:10～18:00 より任意参加の交流会が行われます。 |
| 会 場 | 東京大学 柏の葉キャンパス駅前サテライト2F 205号室 秋葉原からつくばエクスプレスで約30分の「柏の葉キャンパス駅」から徒歩１分 |
| 定 員 | 10名 ※先着順、定員にて締め切りとさせていただきます。 お早めにお申し込みください。 |
| 参加費 |
43,200円（税込） ※交流会費1,000円は当日別途徴収いたします |
| 対 象 | 第一原理計算でシリコンや化合物半導体等の大規模系の物性を計算したい方。実習ではLinuxやLinux上でのエディター等の知識が必要となります。 |
| プログラム |
10:00～12:00 講義
RSDFTを活用した最先端研究の紹介（Si、C、SiC、GaN等を予定） 13:00～17:00 実習
RSDFTの利用方法・テスト計算・応用計算（Si、SiCを予定） 17:00～17:10 FOCUSスパコン利用例紹介 17:10～18:00 交流会：会費1,000円（任意参加、会費は当日別途徴収） |
| 実習端末 | 主催が準備するノートPCを利用していただきますので、PCの持参は不要です。 |
参加申込み先
詳細な情報に関しましては、申込方法のリンク先にてご確認ください。
| 申込方法 | 公益財団法人 計算科学振興財団のサイトに記載の申込方法に従い、下記リンク先から電子メールでお申し込みください。
→ FOCUS - RSDFT 講習会 - 受講申込みページ |
| 申込期限 | 2019年2月20日（水）10:00 |