アドバンスシミュレーション Vol.26, 原田 昌紀, 半導体デバイスの微細化が進むにつれ、デバイスが高速化し、記憶容量が増大していく反面、α線などの高エネルギー粒子によるメモリデバイスのソフトエラーが発生しやすくなります。特にSRAMではその傾向が顕著です。今回、アドバンスソフト社製Advance/TCADデバイスシミュレータを使用し、SRAMソフトエラーの3次元デバイスシミュレーションを実施し、ソフトエラーの入射エネルギー依存性およびデバイスサイズ依存性を解析しました。本稿では、解析内容を紹介するとともに、Advance/TCADをSRAM開発における設計補助ツールとして提案します。(PDF:653kB)

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