【半導体】Advance/TCAD＞ セミナー資料（Made in JapanのLSI デバイス設計CADシステム Advance/TCADのご紹介）20150630_08【SiとSiCのパワーデバイスの解析事例】

・プロセスシミュレータによる構造作成
・変換ツールによるプロセスデバイス間接続
・デバイスシミュレーションによる解析事例紹介

【解析事例】
[1] Si-IGBT
[2] SiC縦型パワーMOSFET (PDF：1,049kB)

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