【半導体】Advance/TCAD＞ セミナー資料（Made in JapanのLSI デバイス設計CADシステム Advance/TCADのご紹介）20150630_05【イオン注入計算（Si、SiC）】

○理論枠組み
○機能概要
　　・設定可能関連項目
　　・プロセスシミュレータ共通出力ファイルへの出力内容
　　・1次元不純物分布データ
○実験値との比較　(4H-SiC)
○3次元構造へのイオン注入
　　・正方孔 (Si)
　　 ・六角トレンチ (Si)
　　・MOS Extension　(Si, 4H-SiC)
○並列計算 (PDF：1,985kB)

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