【解析・コンサルテーション（その他）】＞ セミナー資料（技術セミナー　国プロジェクトと産学連携）20090304_04【産学共同シーズイノベーション化事業顕在化ステージ　MOS反転層内量子化

背景, 当社における半導体CADの開発, セールスポイント, 基本式（電流連続の式）, MOSFETのスケーリング則, バリスティック輸送への期待, 理論的取扱法：モンテカルロ法(PDF：972KB)

ダウンロードする