【半導体】Advance/TCAD＞ Advance/DESSERTの 計算事例紹介

複雑な構造の容易入力と構造観察機能, MOSにおける実験との比較, 量子効果補正, アバランシェブレークダウン, SOI-Double Gateにおけるメッシュの効率化, CMOSイメージセンサの解析, 化合物半導体デバイスへの適用(PDF：1619KB)

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