【半導体】Advance/TCAD＞ セミナー資料（Made in JapanのLSI デバイス設計CADシステム Advance/TCADのご紹介）20150630_02【デバイスシミュレータの概要と特徴】

1. TCADシステム構成とデバイスシミュレータの位置付け
2. ボルツマン方程式からバリスティック輸送モデルの生成
3. DDモデル(輸送係数、生成・再結合過程のモデル化）
4. ワイドギャップ半導体特有の課題
　浮遊電位問題と二準位モデルの提案
5. 複数デバイス一括解析機能(大規模・高速化)
6. 量子効果について
　まとめ (PDF：946kB)

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