【半導体】Advance/TCAD＞ セミナー資料（Made in JapanのLSI デバイス設計CADシステム Advance/TCADのご紹介）20150630_04【プロセスシミュレータの概要と特徴】

Advance/TCADのプロセスシミュレータは、
・デバイスの形状を計算します
　堆積／エッチング、酸化
・デバイス中の不純物分布を計算します
　イオン注入、不純物拡散
・形状が変化したとき及び熱工程に伴う応力
を計算するという機能を持ちます。

この報告では、
・堆積／エッチング（3次元形状モデル）
・不純物拡散（拡散モデル）
・酸化及び応力（3次元酸化モデル）
について報告します。

・イオン注入計算
・入出力GUI（統合プラットフォーム）
・拡散計算の並列化
は別に報告します。 (PDF：1,709kB)

ダウンロードする