当社では強安定収束を特長とするデバイスシミュレータを開発し、販売を行っております。
パワー応用ワイドギャップ半導体デバイス設計を支援するデバイスシミュレータを紹介いたします。
特長
- SiCやGaN等、禁止帯幅が3eV 以上のワイドギャップ半導体デバイス解析に安定収束
- 大きなバンド不連続を伴うヘテロ接合系にも対応可能
- 数千ボルトの逆耐圧計算が可能
- アバランシェ増倍機構の解析に対応可能
- SITのような能動素子に適用可能
計算科学技術におけるリーディングカンパニー
当社では強安定収束を特長とするデバイスシミュレータを開発し、販売を行っております。
パワー応用ワイドギャップ半導体デバイス設計を支援するデバイスシミュレータを紹介いたします。