当社の
3次元TCADソフトウェア Advance/TCAD のユーザー様、明治大学 堤 利幸 教授が、Advance/TCAD を用いた研究成果を発表されました。
- Toshiyuki Tsutsumi, Meiji Univ., Japan,2017.11.07 (Tue),The 30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2017) ,7A-2-5,Study on the Origin of Vth Fluctuation Caused by Ion Implantation to Source and Drain Extensions of SOI Tri-Gate FinFETs by 3D Process and Device Simulations