ユニサンティスエレクトロニクスの作井康司博士と原田望博士が、半導体デバイス 3 次元 TCAD システム Advance/TCAD を用いた研究成果を発表されました。
- Koji Sakui,Nozomu Harada, "Dynamic Flash Memory with Dual Gate Surrounding Gate Transistor (SGT)", 2021 IEEE International Memory Workshop (IMW).[Abstract ]
計算科学技術におけるリーディングカンパニー
ユニサンティスエレクトロニクスの作井康司博士と原田望博士が、半導体デバイス 3 次元 TCAD システム Advance/TCAD を用いた研究成果を発表されました。